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STD30NF06L

更新時間:2025-06-12 18:22:18

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STD30NF06L 概述

STD30NF06L是由STMicroelectronics生產的N溝道MOSFET。它采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流能力的特點。該MOSFET的額定漏極 - 源極電壓為60V，在25°C時最大連續(xù)漏極電流可達30A。其柵極 - 源極電壓范圍為±20V，適用于多種電源管理應用。典型應用場景包括直流 - 直流轉換器、電機驅動、不間斷電源（UPS）以及電池供電設備中的功率控制電路。在使用時，需確保柵極驅動電壓足夠以完全開啟MOSFET，并且要注意散熱設計，避免因過熱導致器件損壞。例如在電機驅動電路中，可將此MOSFET與合適的柵極驅動芯片配合使用，以實現高效穩(wěn)定的電機控制。

STD30NF06L 規(guī)格參數

現有數量
2,409現貨
系列
UMW
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
29 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1562 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252（DPAK）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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