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STD13N50DM2AG

更新時間:2025-06-25 17:36:59

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STD13N50DM2AG 概述

STD13N50DM2AG是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓N溝道MOSFET。該器件專為高性能開關(guān)應用設計，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）可達500V，連續(xù)漏極電流（Id）為13A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）及照明控制等電力電子領(lǐng)域。在電路設計中，建議使用適當?shù)臇艠O電阻以控制開關(guān)速度，避免過沖電壓損壞器件。同時要注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于高頻應用場合，需優(yōu)化PCB布局減少寄生電感影響，提高整體效率。此型號MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣特性和可靠性，成為眾多工業(yè)與消費類電子產(chǎn)品中不可或缺的關(guān)鍵元件。

STD13N50DM2AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
-
技術(shù)
-
漏源電壓（Vdss）
-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
11A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-
安裝類型
-
供應商器件封裝
-
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廣東微爾科技有限公司

STD13N50DM2AG推薦型號

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