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STD11NM60ND

更新時間:2025-06-16 11:40:38

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STD11NM60ND外觀圖

STD11NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD11NM60ND 概述

STD11NM60ND是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh技術，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達11A，在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。此MOSFET常用于交流-直流轉換器、直流-直流轉換器、電機驅(qū)動器等電力電子設備中。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制振蕩，并確保散熱良好以維持性能。對于高頻開關電路設計，需合理選擇柵極驅(qū)動電阻值以優(yōu)化開關速度與EMI性能。在PCB布局時，盡量縮短源極和柵極走線長度，減少寄生電感影響。

STD11NM60ND 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD11NM60ND View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 50V
功率 - 最大
90W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-8477-6

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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