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STD10NM60N

更新時間:2025-06-30 12:16:31

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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STD10NM60N外觀圖

STD10NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD10NM60N 概述

STD10NM60N是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達10A，在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動以及工業(yè)自動化設備中的功率轉(zhuǎn)換電路。在設計過程中，建議選用合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。此外，在PCB布局時應盡量縮短源極到柵極的走線長度，并使用低電感封裝如TO-220或DPAK以提升整體性能。注意散熱設計，確保工作溫度在安全范圍內(nèi)。

STD10NM60N 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
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標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
540pF @ 50V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-10021-6

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