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STB15NM60ND

更新時間:2025-07-06 21:00:28

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廠商
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詢價

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STB15NM60ND外觀圖

STB15NM60ND

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB15NM60ND 概述

STB15NM60ND是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用D2PAK封裝。該器件設計用于高效率開關(guān)應用，在600V的漏源電壓下能提供高達15A的連續(xù)漏極電流。其低導通電阻和快速開關(guān)特性使其在電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和不間斷電源系統(tǒng)等應用中表現(xiàn)出色。它可在高頻條件下工作，有助于減小磁性元件尺寸并提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，需確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動電壓以完全開啟MOSFET，并且要合理設計散熱方案以避免過熱損壞。對于高頻應用，建議優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。

STB15NM60ND 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STB15NM60ND View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
299 毫歐 @ 7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1250pF @ 50V
功率 - 最大
125W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-8470-6

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STB100NF03L-03T4
STB100NF04
STB100NF04L
SMAJ5.0A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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