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STB160NF3LLT4

更新時間:2025-06-13 08:26:09

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STB160NF3LLT4外觀圖

STB160NF3LLT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB160NF3LLT4 概述

STB160NF3LLT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為30V，在25℃時連續(xù)漏極電流（Id）可達160A，適合用于高效能的電源管理應用。由于其低柵極電荷（Qg）特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率操作，并且在同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路等場景中表現(xiàn)出色。此外，它還具備良好的雪崩擊穿能力，確保了設備在惡劣環(huán)境下的可靠性。封裝形式為Powerso-36，有助于提高散熱效率并節(jié)省空間。在設計時應注意合理布局以減少寄生電感的影響。

STB160NF3LLT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
160A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3.3 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
110nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5500pF @ 25V
功率 - 最大
300W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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