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STB155N3LH6

更新時間:2025-06-07 18:49:13

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STB155N3LH6外觀圖

STB155N3LH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB155N3LH6 概述

STB155N3LH6是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的第三代MDmesh工藝制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏電流（Id）可達150A，在封裝上使用了PQFN 8x8貼片封裝，有利于節(jié)省電路板空間并提升散熱性能。此款MOSFET廣泛應用于開關電源、直流-直流轉換器、負載點（POL）轉換器以及同步整流電路中。在實際應用時，建議根據具體電路需求選擇合適的驅動電阻值以優(yōu)化開關速度，并注意保證足夠的散熱措施來確保器件穩(wěn)定運行。設計電路時還需考慮其最大工作電壓與電流限制，避免超出規(guī)格范圍使用。

STB155N3LH6 規(guī)格參數

其它有關文件
STB155N3LH6 View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
80nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3800pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
管件
其它名稱
497-11323-5

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STB100NF04
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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