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STB15N80K5

更新時間:2025-06-13 17:21:15

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STB15N80K5 概述

STB15N80K5是意法半導體生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉換器等多種應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為15A，非常適合需要高耐壓和大電流能力的電力電子系統(tǒng)。在設計中，建議選用合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保充分散熱措施，如使用散熱片或散熱器，以維持穩(wěn)定工作溫度，提高系統(tǒng)可靠性。

STB15N80K5 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
SuperMESH5?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
14A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
375 毫歐 @ 7A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
32 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1100 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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