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SPA20N65C3

更新時間:2025-07-11 11:31:47

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SPA20N65C3 概述

SPA20N65C3是由STMicroelectronics生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓（Vds）為650V，連續(xù)漏極電流（Id）可達20A，非常適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。典型應用場景包括服務器和通信電源、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、工業(yè)焊接設備以及各種高壓開關電路。在實際設計中，建議根據(jù)具體應用需求合理選擇柵極驅(qū)動電阻值以優(yōu)化開關性能，并確保良好的PCB布局以降低寄生電感影響。使用時應注意控制柵極電壓不超過額定范圍，防止損壞器件。此外，在并聯(lián)多個MOSFET時需特別關注電流均衡問題，以避免局部過熱。

SPA20N65C3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SP(P,I,A)20N65C3
產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 13.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
114nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
34.5W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000216362SPA20N65C3INSPA20N65C3XK

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