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SPA20N60C3

更新時間:2025-07-03 21:10:54

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SPA20N60C3 概述

SPA20N60C3是由STMicroelectronics生產的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達20A，適合于高壓高功率的應用環(huán)境。常見應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關模式電源（SMPS）以及照明控制系統(tǒng)等。在實際使用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以充分開啟MOSFET，同時注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于高頻應用，需優(yōu)化PCB布局，減少寄生電感影響，提高整體效率。

SPA20N60C3 規(guī)格參數

制造商
Infineon
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
20.7 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
190 mOhms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220FP
封裝
Tube
下降時間
4.5 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
34.5 W
上升時間
5 ns
典型關閉延遲時間
67 ns
零件號別名
SP000216354 SPA20N60C3XK SPA20N60C3XKSA1

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