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SPA20N60CFD

更新時間:2025-06-29 14:57:34

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SPA20N60CFD 概述

SPA20N60CFD是由韓國仙童半導體（現(xiàn)已被安森美半導體收購）生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)制造，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（VDS）為600V，連續(xù)漏極電流（ID）可達20A，適用于高壓高頻應用場合。典型應用場景包括開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等需要高效能功率管理的領(lǐng)域。在電路設(shè)計中，建議充分考慮散熱設(shè)計，以確保器件工作在安全溫度范圍內(nèi)。此外，在進行PCB布局時，應盡量縮短柵極引線長度并保持信號完整性，避免因寄生電感導致的振蕩現(xiàn)象。

SPA20N60CFD 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SPA20N60CFD
產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 13.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
124nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
35W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設(shè)備封裝
PG-TO220-FP
包裝
管件
其它名稱
SP000216361

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SPA20N60
SPA20N60C
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SPA20N65C3
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SPA2118Z
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