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NVTFS5826NLWFTWG

更新時間:2025-05-20 18:58:17

供應(yīng)商
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

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原裝現(xiàn)貨深圳現(xiàn)貨

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NVTFS5826NLWFTWG 概述

NVTFS5826NLWFTWG是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用先進的Trench技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻特性，在節(jié)省能源的同時能夠提供高效的電流傳導(dǎo)能力。其最大漏極-源極電壓（Vds）為30V，適用于需要高效功率管理的應(yīng)用場景。典型應(yīng)用包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)電路以及電池供電設(shè)備中的電源管理模塊。在便攜式電子設(shè)備如智能手機和平板電腦中，它能有效提升電池使用效率并減少發(fā)熱量。由于其緊湊的封裝形式（DFN1006P3），特別適合空間受限的設(shè)計需求。使用時需注意遵循正確的驅(qū)動電壓范圍以確?？煽抗ぷ鳎⑶以诓季諴CB時要優(yōu)化散熱路徑以維持穩(wěn)定性能。

NVTFS5826NLWFTWG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7.6A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
24 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
16 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
850 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），22W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
8-WDFN（3.3x3.3）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

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NVTFS4824NTWG
NVTFS5116PLTAG
NVTFS5811NLTAG
NVTFS5820NLTAG
NVTFS5826NL
NCP1117ST33T3G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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