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NVTR01P02LT1G

更新時間:2025-07-05 21:32:50

供應商
產(chǎn)品型號
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詢價

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現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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NVTR01P02LT1G外觀圖

NVTR01P02LT1G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET P-CH 20V 0.160R SOT23

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

NVTR01P02LT1G 概述

NVTR01P02LT1G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該器件采用小巧的SOT-23封裝，適用于對空間要求較高的電路設計中。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，在室溫下連續(xù)漏極電流(ID)可達-1.2A。典型應用包括負載開關(guān)、電源管理以及便攜式設備中的信號切換等場景。由于其低導通電阻(RDS(on))特性，在電池供電設備中能夠有效降低功耗并延長使用時間。在實際應用中，建議注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保MOSFET能完全導通，并且在PCB布局時盡量減小源極和漏極之間的走線長度以減少寄生電感影響。如果用于高頻開關(guān)電路，需仔細考慮其開關(guān)速度和損耗之間的平衡。

NVTR01P02LT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 750mA，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
5.5nC @ 4V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
225pF @ 5V
功率 - 最大
400mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3
包裝
帶卷 (TR)

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NVTR4503NT1G
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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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