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NTMD6N03R2G

更新時間:2025-06-12 22:36:29

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市創(chuàng)寶來科技有限公司
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深圳市球芯貿(mào)易有限公司
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只做進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十

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NA/NA
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292599
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NTMD6N03R2G外觀圖

NTMD6N03R2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMD6N03R2G 概述

NTMD6N03R2G是一款由ON Semiconductor生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率管理應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓(VDS)為30V，連續(xù)漏極電流(ID)可達(dá)6A，非常適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電源管理電路中。由于其低柵極電荷(Qg)，可以實現(xiàn)高效快速的開關(guān)操作，從而減少開關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外，NTMD6N03R2G還具備較高的雪崩能量耐量，增強了在不理想條件下的可靠性，適合于汽車電子設(shè)備和其他需要高可靠性的應(yīng)用場景。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并注意散熱設(shè)計以保證長期穩(wěn)定運行。

NTMD6N03R2G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
32 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
950pF @ 24V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMD6N03R2GOSNTMD6N03R2GOS-NDNTMD6N03R2GOSTR

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NTMD6N03R2G
NTMD2N05Z
NTMD3N08LR2
NTMD3P03
NTMD3P03R2
NTMD3P03R2G
NTMD4184PFR2G
NJW0281G

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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