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NTMS4N01R2G

更新時間:2025-06-12 06:32:29

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NTMS4N01R2G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMS4N01R2G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
40 毫歐 @ 4.2A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1200pF @ 10V
功率 - 最大
770mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMS4N01R2GOS

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