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NTMD3P03R2G

更新時間:2025-07-06 10:39:34

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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NTMD3P03R2G外觀圖

NTMD3P03R2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET PWR P-CHAN DUAL 30V 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMD3P03R2G 概述

NTMD3P03R2G是ON Semiconductor生產(chǎn)的一款P溝道MOSFET。該MOSFET的最大漏極-源極電壓為-30V，適用于低側負載開關和電源管理應用。其導通電阻較低，在柵極電壓為-10V時典型值僅為0.045Ω，有助于降低功耗。該器件采用小型TSOP-6封裝，節(jié)省了電路板空間，非常適合便攜式設備使用。在DC-DC轉換器、電機驅動以及負載切換等需要高效功率控制的應用場景中表現(xiàn)良好。設計電路時應注意正確選擇柵極驅動電壓以確?？煽繉?，并合理布局走線以減小寄生電感影響。

NTMD3P03R2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
2 個 P 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.34A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
85 毫歐 @ 3.05A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
750pF @ 24V
功率 - 最大
730mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMD3P03R2GOSNTMD3P03R2GOS-NDNTMD3P03R2GOSTR

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