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NTMD2C02R2G

更新時間:2025-06-04 20:41:39

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安富微（深圳）商貿(mào)有限公司
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NTMD2C02R2G外觀圖

NTMD2C02R2G

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

NTMD2C02R2G 概述

NTMD2C02R2G是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TSOP-6封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，典型Rds(on)值在4.5V柵極電壓下為30mΩ。其最大漏源電壓(Vds)為20V，連續(xù)漏極電流(Id)可達3.8A（在特定條件下）。適用于低壓、高密度開關(guān)電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器和負載開關(guān)等場景。使用時應(yīng)注意避免超過最大額定參數(shù)，并且根據(jù)實際工作條件進行散熱設(shè)計以確�？煽窟\行。在PCB布局上盡量減小源極電感以降低開關(guān)損耗。

NTMD2C02R2G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
-
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.2A，3.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
43 毫歐 @ 4A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 10V
功率 - 最大
2W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
8-SOICN
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTMD2C02R2GOS

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