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NTLJD3119CTBG

更新時間:2025-07-09 12:15:19

供應(yīng)商
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封裝/批號
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原裝現(xiàn)貨

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NTLJD3119CTBG外觀圖

NTLJD3119CTBG

ON Semiconductor FET - 陣列

MOSF N/P-CH 20V 2.6A/2.3A 6WDFN

封裝:6-WDFN 裸露焊盤

NTLJD3119CTBG 概述

NTLJD3119CTBG是由On Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TINYD封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)及電源管理應(yīng)用。其柵極電荷較低，有助于減少驅(qū)動損耗，提升整體效率。在便攜式設(shè)備如智能手機和平板電腦中，NTLJD3119CTBG常用于電池充電電路和電壓調(diào)節(jié)模塊，以實現(xiàn)更長的電池續(xù)航時間和更好的熱性能。由于其緊湊的封裝尺寸，特別適合空間受限的設(shè)計。在實際應(yīng)用中，需注意合理設(shè)計PCB布局，以優(yōu)化散熱效果并減小寄生電感，確保穩(wěn)定可靠的工作狀態(tài)。根據(jù)具體應(yīng)用場景調(diào)整柵極驅(qū)動電阻值，可以進一步優(yōu)化開關(guān)速度與EMI性能。

NTLJD3119CTBG 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準包裝
3,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
µCool™
FET 型
N 和 P 溝道
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.6A，2.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
65 毫歐 @ 3.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
3.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
271pF @ 10V
功率 - 最大
710mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商設(shè)備封裝
6-WDFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTLJD3119CTBG-NDNTLJD3119CTBGOSTR

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NTLJD3119CTAG
NTLJD4116N
NDS331N

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