NTLJF3117PT1G
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,特價(jià)銷售,庫(kù)存數(shù)量不止,歡迎咨詢
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WDFN6/2025+
國(guó)產(chǎn)南科兼容替代
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深圳現(xiàn)貨供應(yīng)
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優(yōu)勢(shì)價(jià)格渠道發(fā)貨2-3周+Q詳聊
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專注電子元件十年,只做原裝現(xiàn)貨
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WDFN6/24+
一比一高仿質(zhì)量
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9875
QFN/2015+
深圳原包裝現(xiàn)貨庫(kù)存假一賠十
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QFN/-
特價(jià)批量支持
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原廠代理渠道現(xiàn)貨支持實(shí)單價(jià)格優(yōu)惠
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137
NA/NA
-
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91752
WDFN6/2024
上海原裝現(xiàn)貨庫(kù)存,歡迎咨詢合作
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21403
-/23+
原裝現(xiàn)貨,長(zhǎng)期供應(yīng)
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DFN/22+
只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購(gòu)20年
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只做原裝,價(jià)格市場(chǎng)
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25000
6WDFN/22+
官網(wǎng)可查icscjh.com
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WDFN6/24+
深圳原裝現(xiàn)貨,可看貨可提供拍照
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MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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NTLJF3117PT1G
Power MOSFET and Schottky Diode W...
ONSEMI [ON Semiconductor]
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歷史最低報(bào)價(jià):¥0.0000 歷史最高報(bào)價(jià):¥0.0000 歷史平均報(bào)價(jià):¥0.0000
越的熱阻(38°c/w)與額定功率(1.9 w),額定持續(xù)功率比業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)sd-88封裝提高了高達(dá)190%,比sd-70-6扁平引腳封裝提供高了130%。因此由功率的角度來(lái)看,采用wdfn6封裝的μcool器件能更有效益的使用便攜式應(yīng)用中寶貴的電路板空間。 其中最先推出的六款產(chǎn)品中,20v p-通道單ntljs3113pt1g與雙ntljd3115pt1g 均過(guò)經(jīng)優(yōu)化, 在4.5 v時(shí)導(dǎo)通電阻rds(on)分別為42 mω與100 mω,適用于鋰離子電池充電應(yīng)用;20 v p-通道fetky ntljf3117pt1g (100 mω) 經(jīng)過(guò)優(yōu)化,適用于將3 v到4 v的電池電壓轉(zhuǎn)換為微處理器使用的1.1 v電壓應(yīng)用;30v n-通道ntljs4159nt1g(35 mω)與fetky ntljf4156nt1g (70 mω) 經(jīng)過(guò)優(yōu)化后,適用于白光led背光等同步升壓應(yīng)用;30v n-通道雙ntljd4116nt1g (70 mω) 經(jīng)過(guò)優(yōu)化,則適用于照相機(jī)快門與閃光等低電壓端開關(guān)。 “我們?cè)O(shè)計(jì)μcool?產(chǎn)品系列的主要目的是解決便攜式設(shè)備,例如鋰離子電池充電電路、高、低電壓端負(fù)載開關(guān)以及同步升降壓電
產(chǎn)品型號(hào):ntljf3117pt1g源漏極間雪崩電壓vbr(v):-20源漏極最大導(dǎo)通電阻rds(on)(mω):100最大漏極電流id(on)(a):-4.100通道極性:p溝道封裝/溫度(℃):dfn-6/-55~150描述:-20v,-4.1a,ucool功率mosfet,2a肖特基二極管價(jià)格/1片(套):¥3.20 來(lái)源:xiangxueqin
產(chǎn)品型號(hào):NTLJF3117PT1G
源漏極間雪崩電壓VBR(V):-20
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(mΩ):100
最大漏極電流Id(on)(A):-4.100
通道極性:P溝道
封裝/溫度(℃):DFN-6/-55~150
描述:-20V,-4.1A,uCOOL功率MOSFET,2A肖特基二極管
價(jià)...
NTLJF4156NT1G NTLJS3113PT1G NTLTD7900ZR2 NTLTD7900ZR2G NTMD2C02R2G NTMD2C02R2SG NTMD3P03R2G NTMD4N03R2G NTMD6N02R2G NTMD6N03R2G
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