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NTD4970NT4G

更新時間:2025-06-08 11:41:06

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NTD4970NT4G外觀圖

NTD4970NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 38A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4970NT4G 概述

NTD4970NT4G是安森美半導體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用小巧的TSOP-6封裝，具有低導通電阻特性，在4.5V柵源電壓下典型導通電阻為26mΩ，適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。主要應用于負載開關、電源管理以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等電路中。在電池供電設備里，可有效降低能量損耗，延長電池使用時間。由于其快速開關性能，也適合于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器設計。使用時應注意合理設計驅(qū)動電路以確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，避免過壓或過流導致器件損壞。在實際PCB布局時，盡量減小源極和漏極走線電感，有助于提升整體電路性能。

NTD4970NT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
774pF @ 15V
功率 - 最大
1.38W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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