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NTD4804NT4G

更新時間:2025-06-16 17:51:10

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NTD4804NT4G外觀圖

NTD4804NT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 14.5A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NTD4804NT4G 概述

NTD4804NT4G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用小巧的DFN4X4封裝，適用于高密度設計。其最大漏源電壓(VDS)為-40V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達-16A。該MOSFET具有低導通電阻(RDS(on))特性，有助于減少導通損耗，在電源管理應用中表現(xiàn)出色。它適合用于直流-直流轉換器、負載開關和電池充電電路等場景。在實際應用中，要確保散熱良好，避免超過最大功耗限制，并且在PCB布局時盡量縮短源極與地之間的走線距離以降低噪聲干擾。由于其緊湊的封裝形式，在焊接過程中要注意溫度控制以免損壞器件。

NTD4804NT4G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4490pF @ 12V
功率 - 最大
1.43W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NTD4804NT4G-NDNTD4804NT4GOSTR

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