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NTD4804N-1G

更新時間:2025-07-11 21:58:16

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ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK

封裝:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

NTD4804N-1G 概述

NTD4804N-1G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵極 - 源極電壓為4.5V時，最大導通電阻僅為30mΩ（典型值22mΩ）。該MOSFET適用于直流 - 直流轉換器、負載開關以及電源管理等應用中。其快速開關速度有助于提高電路效率，在電池供電設備如智能手機和平板電腦的電源管理模塊中有廣泛應用。此外，它還具備良好的雪崩擊穿能力，能夠承受一定的瞬態(tài)過壓情況，保障電路安全穩(wěn)定運行。在實際應用時要注意保證柵極驅動電壓足夠，以確保完全開啟MOSFET并降低導通損耗。

NTD4804N-1G 規(guī)格參數

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
40nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4490pF @ 12V
功率 - 最大
1.43W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件

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