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NTD2955

更新時間:2025-07-04 01:09:24

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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NTD2955 概述

NTD2955是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種功率管理應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電源管理電路、電機驅(qū)動以及負載開關(guān)等。在這些應(yīng)用中，NTD2955能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。由于其良好的熱特性和電氣性能，這款MOSFET也常用于需要高可靠性的工業(yè)和消費電子產(chǎn)品中。使用時應(yīng)注意遵循制造商提供的最大額定值，確保柵極驅(qū)動電壓不超過規(guī)定范圍以避免損壞。在PCB設(shè)計時應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧?，如添加散熱過孔或銅箔面積，以優(yōu)化熱性能。對于高速開關(guān)應(yīng)用，建議仔細選擇柵極電阻值以優(yōu)化開關(guān)速度和EMI性能。

NTD2955 規(guī)格參數(shù)

制造商
ON Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
P-Channel
汲極/源極擊穿電壓
- 60 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
- 12 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.155 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風(fēng)格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DPAK
封裝
Tube
下降時間
48 ns
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
8 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
55 W
上升時間
45 ns
工廠包裝數(shù)量
75
典型關(guān)閉延遲時間
26 ns

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