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NTB18N06G

更新時間:2025-08-03 18:53:29

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ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

NTB18N06G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
22nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
450pF @ 25V
功率 - 最大
48.4W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
管件

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