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NSS20101JT1G

更新時間:2025-05-28 18:54:41

供應商
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詢價

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NSS20101JT1G外觀圖

NSS20101JT1G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS NPN 20V 1A SC-89

封裝:SC-89，SOT-490

NSS20101JT1G 概述

NSS20101JT1G是安森美半導體生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。它采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。該MOSFET的最大漏源電壓為20V，適合用于低壓應用場合。在電路中，NSS20101JT1G常被用作負載開關或電源管理中的開關元件。例如，在電池供電設備中可用于控制電源的通斷，從而實現(xiàn)節(jié)能管理。由于其小尺寸封裝和良好的電氣性能，也適用于便攜式消費電子產(chǎn)品如手機、平板電腦等內(nèi)部的電源路徑管理。使用時應注意避免超過最大漏極電流和功率耗散限制，并確保柵極驅(qū)動電壓足夠以保證MOSFET充分開啟。設計電路時應根據(jù)具體需求合理選擇外部元件參數(shù)，比如柵極電阻來控制開關速度。

NSS20101JT1G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
20V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
220mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
200 @ 100mA，2V
功率 - 最大
300mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換
350MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-89，SOT-490
供應商設備封裝
SC-89-3
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NSS20101JT1G-NDNSS20101JT1GOSTR

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