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NDD04N50ZT4G

更新時間:2025-05-21 23:37:59

供應商
產(chǎn)品型號
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廠商
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詢價

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NDD04N50ZT4G外觀圖

NDD04N50ZT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET HV N-CH 500V 3A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NDD04N50ZT4G 概述

NDD04N50ZT4G是由安森美半導體（ON Semiconductor）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，適用于高頻率開關電源應用。其低導通電阻和快速開關特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換器、適配器和LED驅(qū)動器等場合表現(xiàn)出色。它能夠在高達500V的電壓下工作，適合高壓側(cè)開關和同步整流電路。在實際應用中，建議選擇合適的柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關速度并減少EMI干擾。設計時應注意散熱管理，確保結(jié)溫在安全范圍內(nèi)。此元件廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制及汽車電子領域中的電源管理系統(tǒng)。

NDD04N50ZT4G 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.7 歐姆 @ 1.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
308pF @ 25V
功率 - 最大
61W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NDD04N50ZT4G-NDNDD04N50ZT4GOSTR

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