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安森美半導體擴充功率開關產品陣容，推出高壓MOSFET系列
推出的600 v mosfet器件包括： -ndd02n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元 -ndd02n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價為0.22美元 -ndd03n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元 -ndd03n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價為0.23美元 -ndd04n60z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元 -ndd04n60zt4g，采用dpak封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元 -ndf04n60zg，采用to-220fp封裝，每10,000片批量的單價為0.27美元 -ndf06n60zg，采用to-220fp封裝，每10,000片批量的單價為0.36美元 -ndf10n60zg，采用to-220fp封裝，每10,000片批量的單價為0.42美元新推出的500 v mosfet器件包括： -ndd05n50z-1g，采用ipak封裝，每10,000片批量的單價為0.29美元 -ndd0

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ndd04n60zt4g供應商優(yōu)質現(xiàn)貨

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ndd04n60zt4g價格行情

ndd04n60zt4g中文資料

標準包裝:

類別:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特點:

漏極至源極電壓(Vdss):

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:

開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

Id 時的 Vgs(th)（最大）:

閘電荷(Qg) @ Vgs:

輸入電容 (Ciss) @ Vds:

功率 - 最大:

安裝類型:

封裝/外殼:

供應商設備封裝:

包裝:

其它名稱:

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ndd04n60zt4g替代型號

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