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NDD02N60ZT4G

更新時間:2025-05-21 21:53:26

供應商
產品型號
服務標識
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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安富微（深圳）商貿有限公司
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深圳原裝進口星宇佳科技

深圳市粵東誠信電子有限公司
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深圳市華芯源電子有限公司
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9000
ON Semiconductor
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/22+
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

貿澤芯城（深圳）電子科技有限
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TO252/23+
亞太地區(qū)一級代理，二十年BOM配單專家，原裝現(xiàn)貨

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NDD02N60ZT4G外觀圖

NDD02N60ZT4G

ON Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 600V DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

NDD02N60ZT4G 概述

NDD02N60ZT4G是由安森美半導體(ON Semiconductor)生產的一款高性能N溝道MOSFET，采用先進的溝槽技術制造。該器件專為高壓應用設計，最大漏源電壓Vds可達600V，適用于各類電源轉換與管理電路中。此款MOSFET常用于開關電源、功率因數校正(PFC)電路、電機驅動以及照明控制系統(tǒng)等需要高效能開關特性的場合。其低導通電阻Rds(on)有助于減少功耗并提升系統(tǒng)效率，同時快速的開關速度能夠有效降低開關損耗。在實際應用中，建議搭配適當的柵極驅動電路以確保MOSFET工作在最佳狀態(tài)。需要注意的是，在高頻率應用時應考慮PCB布局對EMI的影響，并采取相應措施進行優(yōu)化。此外，選擇合適的散熱方案也是保證器件長期可靠運行的關鍵因素之一。

NDD02N60ZT4G 規(guī)格參數

標準包裝
2,500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
325pF @ 25V
功率 - 最大
57W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
NDD02N60ZT4G-NDNDD02N60ZT4GOSTR

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