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MJF45H11G

更新時(shí)間:2025-05-18 03:04:04

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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MJF45H11G
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MJF45H11G外觀圖

MJF45H11G

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR PNP 10A 80V TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

MJF45H11G 概述

MJF45H11G是安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具備低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其耐壓值為450V，適合在高電壓環(huán)境下使用，如交流-直流電源轉(zhuǎn)換器、適配器以及LED照明驅(qū)動(dòng)電路中。在實(shí)際應(yīng)用中，由于其低柵極電荷量，可以減少驅(qū)動(dòng)損耗，提高系統(tǒng)效率。設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意保證足夠的散熱措施，避免因過熱導(dǎo)致的性能下降或損壞。推薦在PCB布局時(shí)，源極和漏極走線盡量短且寬，以減小寄生電感影響。在選擇柵極驅(qū)動(dòng)電阻時(shí)，要根據(jù)具體工作頻率進(jìn)行優(yōu)化，確保穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作。

MJF45H11G 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
PNP
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
10A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
80V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大）
1µA
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)
40 @ 4A，1V
功率 - 最大
2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
40MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
MJF45H11G-NDMJF45H11GOS

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MX25L1006EMI-10G

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