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MJF31C

更新時間:2025-06-16 06:18:58

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MJF31C外觀圖

MJF31C

ON Semiconductor 晶體管(BJT) - 單路

TRANS PWR NPN 3A 100V TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

MJF31C 概述

MJF31C是安森美半導體(Onsemi)生產(chǎn)的一款高性能P溝道MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為-30V，適合在低壓電路中使用。主要應用于負載開關、電源管理模塊以及電池保護電路等場景。由于其低導通電阻特性，在需要高效能量傳輸?shù)膽弥斜憩F(xiàn)出色。此外，該MOSFET還具備良好的熱穩(wěn)定性和較高的可靠性，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅(qū)動電壓，并注意散熱設計以確保最佳性能。例如，在便攜式設備的電源管理電路中，可以將MJF31C用于高效降壓轉(zhuǎn)換器或負載切換電路，從而實現(xiàn)更長的電池續(xù)航時間和更高的系統(tǒng)效率。

MJF31C 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
晶體管(BJT) - 單路
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
3A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
100V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
1.2V @ 375mA，3A
電流 - 集電極截止（最大）
300µA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
10 @ 3A，4V
功率 - 最大
2W
頻率 - 轉(zhuǎn)換
3MHz
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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