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MAC08BT1G

更新時間:2025-06-14 13:17:42

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專做MOS/ESD靜電二三極管進口替代和技術支持

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MAC08BT1G外觀圖

MAC08BT1G

ON Semiconductor 三端雙向可控硅開關

THYRISTOR TRIAC .8A 200V SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

MAC08BT1G 概述

MAC08BT1G是安森美半導體生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用SOT-23封裝。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率管理應用。其柵極電荷較低，有助于降低驅動損耗，在電池供電設備中優(yōu)勢明顯。典型應用場景包括負載開關、電源管理中的DC-DC轉換器以及便攜式電子設備的電壓調節(jié)電路。在設計時應注意合理選擇柵極驅動電壓，確保MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，防止過壓損壞柵極。在PCB布局上應盡量減小源極到柵極的寄生電感，以減少開關噪聲。

MAC08BT1G 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
三端雙向可控硅開關
系列
-
三端雙向可控硅開關類型
邏輯 - 靈敏柵極
電壓 - 斷路
200V
電流 - 導通狀態(tài) (It (RMS))（最大）
800mA
電壓 - 柵極觸發(fā)器 (Vgt)（最大）
2V
電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm)
8A @ 60Hz
電流 - 柵極觸發(fā)電流 (Igt)（最大）
10mA
電流 - 維持(Ih)
5mA
配置
單一
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
MAC08BT1GOSTR

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