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2N6766

更新時間:2025-05-17 01:45:30

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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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2N6766 概述

2N6766是ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的一款高壓NPN晶體管。該晶體管專為高電壓應(yīng)用設(shè)計，最大集電極-發(fā)射極電壓Vce可達800V，適用于開關(guān)電源、照明控制電路以及工業(yè)設(shè)備中的高壓開關(guān)和放大器等場景。在開關(guān)電源中，它能夠高效地進行功率轉(zhuǎn)換，減少能量損耗；在照明控制系統(tǒng)里，可用于驅(qū)動高強度放電燈或LED燈具的電子鎮(zhèn)流器。此外，在工業(yè)設(shè)備如電機控制器中，作為關(guān)鍵開關(guān)元件實現(xiàn)對大功率負載的精確控制。實際應(yīng)用時需注意其最大電流能力和散熱設(shè)計。例如，在設(shè)計一個基于2N6766的開關(guān)電源時，應(yīng)根據(jù)輸出功率計算所需的最大電流，并選擇合適的散熱片以確保晶體管工作溫度不超過安全范圍。同時，在電路布局上盡量縮短高頻走線長度以降低噪聲干擾，提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。對于不同應(yīng)用需求，還需考慮基極電阻的選擇以優(yōu)化開關(guān)速度和功耗之間的平衡。

2N6766 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
-
包裝
散裝
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
90 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
-
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4W（Ta），150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應(yīng)商器件封裝
TO-3
封裝/外殼
TO-204AE

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2SA1013

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