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IXTY3N60P

更新時間:2025-05-15 20:39:27

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IXTY3N60P外觀圖

IXTY3N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY3N60P 概述

IXTY3N60P是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET，適用于多種開關電源應用。該器件的最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為3A，其具有低導通電阻（Rds(on)），有助于減少導通損耗。它采用TO-252 (DPAK)封裝，這種封裝形式緊湊且散熱性能良好，適合空間受限的場合。由于其具備快速開關特性，在高頻開關電源如交流-直流適配器、直流-直流轉換器等場景中表現(xiàn)出色。此外，還適用于電機驅動電路以及照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等應用。使用時需注意保證足夠的散熱措施以確保穩(wěn)定工作。

IXTY3N60P 規(guī)格參數

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.9 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
411pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252，（D-Pak）
包裝
管件

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