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IXTY18P10T

更新時間:2025-05-21 08:55:00

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詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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IXTY18P10T 概述

IXTY18P10T是由IXYS公司生產(chǎn)的一款功率MOSFET。這款N溝道MOSFET設計用于高效能的電源管理應用，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻操作。其最大漏源電壓為100V，能夠處理較高的功率密度，非常適合于不間斷電源(UPS)、直流-直流轉換器以及電機驅動等應用場景。在電路設計中，需注意其柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內以確保正常工作，并且要考慮散熱設計以避免過熱損壞。由于其出色的電氣性能，在工業(yè)控制和汽車電子領域也得到廣泛應用。使用時建議查閱詳細數(shù)據(jù)手冊以獲取準確參數(shù)并進行合理布局布線。

IXTY18P10T 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
30現(xiàn)貨2,730Factory
系列
TrenchP?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
120 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

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IRF9630

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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