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IXTY01N80

更新時間:2025-07-06 01:56:02

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IXTY01N80

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IXTY01N80 概述

IXTY01N80是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。該器件專為高效能電源管理設計，具有極低的導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，適合于需要高電壓處理能力的場合。典型應用場景包括開關電源、照明系統中的電子鎮(zhèn)流器、電機驅動以及工業(yè)逆變器等。在電路設計中，建議根據具體的應用需求選擇適當的柵極電阻來優(yōu)化開關速度，并注意散熱設計以確保器件在高功率運行時的穩(wěn)定性。對于高可靠性要求的應用，還應考慮并聯使用多個MOSFET以分散功率損耗。

IXTY01N80 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
100mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 歐姆 @ 100mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
60pF @ 25V
功率 - 最大
25W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
TO-252AA
包裝
管件

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