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IXTP2N80P

更新時間:2025-05-26 00:47:46

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IXTP2N80P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 2A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP2N80P 概述

IXTP2N80P是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET，適用于高效率開關電源和其他需要高壓處理能力的應用。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，有助于降低功耗并提高系統(tǒng)整體效率。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為2A，在高溫條件下仍能保持穩(wěn)定性能，非常適合用于交流-直流轉換器、逆變器、電機驅動以及照明控制系統(tǒng)等應用場景。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉，同時要考慮適當的散熱設計以維持長期可靠運行。

IXTP2N80P 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 歐姆 @ 1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
10.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
440pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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