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IXTP28P065T

更新時間:2025-05-23 18:10:31

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IXTP28P065T

IXYS FET - 單

MOSFET P-CH 65V 28A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP28P065T 概述

IXTP28P065T是IXYS公司生產的一款功率MOSFET，采用TO-220封裝形式。這款MOSFET具有較低的導通電阻和較高的擊穿電壓特性，其最大漏源電壓（VDS）可達650V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C下為28A。它適用于多種電力電子應用場合，如開關電源、電機驅動以及不間斷電源系統(tǒng)等。在這些應用中，它可以有效地降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應注意散熱設計以確保器件工作在安全溫度范圍內，避免因過熱導致性能下降或損壞。根據(jù)具體的應用需求選擇合適的柵極驅動電阻來優(yōu)化開關速度也是很重要的。

IXTP28P065T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchP™
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
65V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
28A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 14A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
46nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2030pF @ 25V
功率 - 最大
83W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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