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IXTP200N055T2

更新時間:2025-05-21 07:36:21

供應商
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數(shù)量
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說明
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，一站式BOM配單

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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

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IXTP200N055T2外觀圖

IXTP200N055T2

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 55V 200A TO-220

封裝:TO-220-3

IXTP200N055T2 概述

IXTP200N055T2是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為55V，適合中低壓應用場景如直流-直流轉換器、電機驅動以及電源管理電路。在電機驅動應用中，這款MOSFET可以有效降低功耗并提高效率。對于電源管理系統(tǒng)，它能提供快速的開關速度，減少開關損耗。設計時應注意柵極驅動電路的設計以確?？煽康拈_關操作，避免因柵極振蕩導致的誤動作。建議使用適當?shù)木彌_電路來優(yōu)化性能，并根據(jù)具體應用調整柵極電阻值以控制開關速度。

IXTP200N055T2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchT2™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
109nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6800pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220
包裝
管件

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IXTP08N120P
IXTP08N50D2
IXTP10P15T
IRF7404

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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