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IXTN60N50L2

更新時間:2025-05-29 07:50:15

供應商
產(chǎn)品型號
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封裝/批號
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IXTN60N50L2外觀圖

IXTN60N50L2

IXYS FET

MOSFET N-CH 53A 500V SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXTN60N50L2 概述

IXTN60N50L2是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道MOSFET。該器件采用先進的Trench技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）可達60A，在高功率應用中表現(xiàn)出色。此MOSFET適用于多種電力電子設(shè)備，如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng)(UPS)和逆變器等。在這些應用中，它能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。使用時應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，同時確保散熱設(shè)計滿足要求，以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。典型電路中，該MOSFET可作為高頻開關(guān)元件，并聯(lián)使用時需注意均流措施以保證可靠性。

IXTN60N50L2 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
Linear L2™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
53A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫歐 @ 30A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
610nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
24000pF @ 25V
功率 - 最大
735W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設(shè)備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IXTN200N10L2
IXTN21N100
IXTN320N10T
IR2112

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