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IXTN22N100L

更新時間:2025-05-24 21:37:49

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IXTN22N100L外觀圖

IXTN22N100L

IXYS FET

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXTN22N100L 概述

IXTN22N100L是IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用了先進的溝槽技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源、逆變器以及電機驅(qū)動等應用場合。其最大漏源電壓可達1000V，連續(xù)漏極電流為22A，能滿足高壓大功率電路的需求。在電源轉(zhuǎn)換器中，它可以有效降低開關損耗，提高整體效率。使用時需注意散熱設計以確保器件穩(wěn)定工作，建議配合合適的散熱片或冷卻系統(tǒng)使用。此外，在電路布局上應盡量減小柵極回路電感，以防止振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

IXTN22N100L 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
FET
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
22A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
600 毫歐 @ 11A，20V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
270nC @ 15V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
7050pF @ 25V
功率 - 最大
700W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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IRF3205

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