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IXTH200N075T

更新時間:2025-05-18 00:51:54

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IXTH200N075T外觀圖

IXTH200N075T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 75V 200A TO-247

封裝:TO-247-3

IXTH200N075T 概述

IXTH200N075T是一款由IXYS公司生產的高功率N溝道MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有75V的漏源電壓額定值和高達200A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)效率。此MOSFET適用于開關電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）及逆變器等電力電子設備中。在電機驅動應用中，能夠有效處理大電流并承受高電壓應力。由于其快速開關速度和優(yōu)秀的熱性能，在高頻應用場合表現(xiàn)尤為突出。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保可靠運行。建議采用足夠的銅箔面積或散熱器來散發(fā)工作過程中產生的熱量。此外，電路布局需優(yōu)化以減小寄生電感影響，避免電壓尖峰損害器件。在柵極驅動方面，應保證足夠快的上升和下降時間以充分發(fā)揮其高速開關特性。

IXTH200N075T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
200A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6800pF @ 25V
功率 - 最大
430W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247
包裝
管件

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IXTH03N400
IXTH102N20T
IXTH10N100D2
IXTH10N60
IXTH10N80A
IRF530N

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