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IXTH13N110

更新時間:2025-05-22 03:49:12

供應(yīng)商
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IXTH13N110外觀圖

IXTH13N110

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD

封裝:TO-247-3

IXTH13N110 概述

IXTH13N110是由IXYS公司生產(chǎn)的高壓功率MOSFET。這款器件采用TO-247封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能的電力電子應(yīng)用。其最大漏源電壓（Vds）可達1100V，連續(xù)漏極電流（Id）為13A，在高溫條件下也能穩(wěn)定工作。該MOSFET廣泛應(yīng)用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。在電路設(shè)計中，推薦使用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動電阻來控制開關(guān)速度，并確保足夠的散熱措施以維持最佳性能。由于其高耐壓和低損耗特點，特別適合需要高壓處理和高效轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。同時，應(yīng)關(guān)注PCB布局中的寄生電感影響，避免產(chǎn)生電壓尖峰損害元件。

IXTH13N110 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MegaMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1100V（1.1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
920 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
195nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5650pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-247AD
包裝
管件

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IXTH10N60
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ISO124P

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