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IXTH12N45

更新時間:2025-06-10 15:58:11

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IXTH12N45 概述

IXTH12N45是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。它采用了TO-247封裝，具有高電壓和低導通電阻特性。該MOSFET的漏源擊穿電壓可達450V，連續(xù)漏極電流為12A，在需要高電壓處理能力的開關電源、電機驅動器以及不間斷電源系統(tǒng)等應用中表現(xiàn)出色。在開關電源應用中，可將其用于初級側開關管，配合合適的柵極驅動電路使用，需注意柵極電阻的選擇以控制開關速度并減少EMI干擾。在電機驅動應用里，要確保散熱設計良好，因為功率損耗較大時溫度會迅速上升。與其他元件連接時要注意耐壓匹配，避免過壓損壞。

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IXTH12N45
IXTH02N250
IXTH03N400
IXTH102N20T
IXTH10N100D2
IXTH10N60
IXTH10N80A
IRFZ44N

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