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IXTC200N10T

更新時間:2025-06-09 04:13:20

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IXTC200N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

封裝:ISOPLUS220?

IXTC200N10T 概述

IXTC200N10T是IXYS公司生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓（Vds）為100V，在室溫下連續(xù)漏極電流（Id）可達200A，非常適合于需要高電流處理能力的場合。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電池充電器、直流電機驅動以及工業(yè)電源系統(tǒng)等。在電路設計中，建議關注柵極驅動電路的設計以確保MOSFET能夠可靠地開啟和關閉，并注意散熱設計，保證器件工作在安全溫度范圍內。

IXTC200N10T 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
101A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.3 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
152nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9400pF @ 25V
功率 - 最大
160W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOPLUS220?
供應商設備封裝
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包裝
管件

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