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IXTA180N10T

更新時間:2025-05-18 00:27:44

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原裝現(xiàn)貨

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深圳市芯凌美電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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IXTA180N10T外觀圖

IXTA180N10T

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXTA180N10T 概述

IXTA180N10T是IXYS公司生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種需要高效率和高可靠性的電力電子設備中。在實際應用中，由于其低柵極電荷特性，可實現(xiàn)快速開關速度，有助于減小開關損耗并提高整體系統(tǒng)效率。設計時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，通常推薦使用10V至15V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓以確保最佳性能。在電路布局方面，盡量縮短源極與柵極之間的引線長度以減少寄生電感影響。對于高頻應用場合，還需考慮適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件穩(wěn)定工作。

IXTA180N10T 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
TrenchMV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
180A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.4 毫歐 @ 25A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
151nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
6900pF @ 25V
功率 - 最大
480W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

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ISO124P

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