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IXTA3N60P

更新時間:2025-06-12 03:32:06

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IXTA3N60P外觀圖

IXTA3N60P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 600V 3A D2-PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IXTA3N60P 概述

IXTA3N60P是IXYS公司生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用TO-220絕緣封裝，具有600V的漏源電壓額定值和3A的連續(xù)漏極電流能力。其低導通電阻特性有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。這款MOSFET適用于交流-直流電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場合。在開關(guān)電源中可作為初級側(cè)開關(guān)管使用，也可用于照明鎮(zhèn)流器和適配器等產(chǎn)品設計。由于其快速開關(guān)特性和高耐壓能力，在高頻開關(guān)應用中表現(xiàn)出色，能有效提升電源系統(tǒng)的整體性能。需要注意的是，在實際應用時應確保柵極驅(qū)動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并且要考慮適當?shù)纳岽胧┮员ＷC器件可靠工作。

IXTA3N60P 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.9 歐姆 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
411pF @ 25V
功率 - 最大
70W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
TO-263
包裝
管件

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IXTA12N50P
IXTA152N085T7
IRFZ24N

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