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IXFT80N20Q

更新時間:2025-07-06 17:09:57

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IXFT80N20Q

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXFT80N20Q 概述

IXFT80N20Q是英飛凌（Infineon）生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高效能、高速開關應用，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為200V，適用于工業(yè)電源、電機驅動、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）以及各類需要高效率和高性能開關元件的電力電子設備中。在電路設計中，建議確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并注意散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內。對于電機驅動應用，可參考典型半橋或全橋拓撲結構進行設計，同時關注PCB布局以減小寄生電感影響。

IXFT80N20Q 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
28 毫歐 @ 500mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
180nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4600pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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