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IXFT6N100Q

更新時間:2025-06-15 13:50:05

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IXFT6N100Q

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

封裝:TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA

IXFT6N100Q 概述

IXFT6N100Q是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用N溝道設計，具有1000V的漏源電壓（VDSS）和6A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)效率。此MOSFET適用于高壓開關電源、電機驅動、逆變器和其他需要高效能電力管理的應用場景。在實際應用中，建議關注柵極驅動電路的設計以確保MOSFET能夠快速且可靠地切換。此外，在布局PCB時應盡量縮短引線長度，以減少寄生電感對開關性能的影響。對于高頻應用，需特別注意散熱設計，可考慮使用散熱器或強制風冷來保持工作溫度在安全范圍內。

IXFT6N100Q 規(guī)格參數

標準包裝
30
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.9 歐姆 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 2.5mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2200pF @ 25V
功率 - 最大
180W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝
TO-268
包裝
管件

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