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IXFN100N50Q3

更新時間:2025-05-16 00:15:24

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務(wù)
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蘇州新杰邦電子技術(shù)有限公司
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安徽紐本科技有限公司
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優(yōu)勢
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江蘇東導(dǎo)半導(dǎo)體有限公司
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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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國產(chǎn)品牌isc，替代進(jìn)口

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上海凱昂電子技術(shù)有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨直銷

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蘇州新杰邦電子技術(shù)有限公司
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原裝進(jìn)口真實(shí)庫存一級代理

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6607
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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號IXFN100N50Q3

深圳市科鑫美電子有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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SOT227/2024+/25+
MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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昆山隆誠翔電子有限公司
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安徽紐本科技有限公司
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上海紫卓電子科技有限公司
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IXFN100N50Q3外觀圖

IXFN100N50Q3

IXYS FET

MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXFN100N50Q3 概述

IXFN100N50Q3是由IXYS公司生產(chǎn)的一款高性能N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應(yīng)用設(shè)計(jì)，最大漏源電壓（Vds）可達(dá)500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時為100A。其低導(dǎo)通電阻（Rds(on)）有助于減少導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。這款MOSFET適用于開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、電機(jī)驅(qū)動和逆變器等需要高效率和可靠性的應(yīng)用場合。在電機(jī)控制應(yīng)用中，它能夠提供快速的開關(guān)速度，減少開關(guān)損耗。同時，其優(yōu)秀的雪崩特性使其在面對瞬態(tài)過壓情況時具有更好的可靠性。使用時應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并且要考慮到散熱設(shè)計(jì)，因?yàn)檩^大的電流可能導(dǎo)致器件發(fā)熱。在電路設(shè)計(jì)中，可以采用適當(dāng)?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，減少電磁干擾（EMI）。對于高壓應(yīng)用，建議采取有效的隔離措施以保護(hù)控制電路。

IXFN100N50Q3 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
類別
半導(dǎo)體模塊
家庭
FET
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
82A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
49 毫歐 @ 50A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
6.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
255nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
13800pF @ 25V
功率 - 最大
960W
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應(yīng)商設(shè)備封裝
SOT-227B
包裝
管件

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