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IXFK27N80

更新時間:2025-07-04 07:30:55

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說明
詢價

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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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IXFK27N80外觀圖

IXFK27N80

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA

封裝:TO-264-3，TO-264AA

IXFK27N80 概述

IXFK27N80是一款由IXYS公司生產的高性能N溝道功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有800V的漏源電壓（VDSS）和27A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）有助于減少導通損耗，提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)自動化設備中的功率轉換電路。在這些應用中，IXFK27N80能夠提供快速開關速度和低開關損耗，有助于提升整體系統(tǒng)性能。使用建議：在實際應用中，應確保柵極驅動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，并注意散熱設計以避免過熱。此外，在高頻應用中需特別關注寄生電容對電路性能的影響。對于需要并聯(lián)使用的場合，務必進行均衡設計，防止電流不平衡導致器件損壞。

IXFK27N80 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
25
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
27A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
300 毫歐 @ 13.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 8mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
400nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
9740pF @ 25V
功率 - 最大
500W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-264-3，TO-264AA
供應商設備封裝
TO-264AA
包裝
管件

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IXFK27N80Q
IXFK100N10
IXFK100N25
IXFK102N30P
IXFK110N07
IXFK120N20
IRF830

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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